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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB15XP120KTPBF
| Artikelnummer: | VS-GB15XP120KTPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MODULE 1200V 30A 187W MTP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Spezifikationen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB15XP120KTPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-GB15XP120KTPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.66V @ 15V, 30A Supplier Device-Gehäuse MTP Serie - Leistung - max 187 W Verpackung / Gehäuse 12-MTP Module Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) NTC-Thermistor Yes Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 1.95 nF @ 30 V Eingang Standard IGBT-Typ NPT Strom - Collector Cutoff (Max) 250 µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 30 A Konfiguration Three Phase Inverter Grundproduktnummer GB15 VS-GB15XP120KTPBF Einzelheiten PDF [English] VS-GB15XP120KTPBF PDF - EN.pdf -
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